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    IXFN60N60 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN60N60图片预览
    型号： IXFN60N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 74 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN60N60的Datasheet PDF文件第2页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    单芯片MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低吨
    rr
    初步数据
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    £
    1毫安
    T = 1分
    t=1s
    I
    S
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25 ℃，芯片能力
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    IXFN 60N60 V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    D
    G
    S
    = 600 V
    = 60 A
    = 75毫瓦
    S
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    60
    240
    60
    64
    4
    5
    700
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    2500
    3000
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    V~
    V~
    miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
    E153432
    S
    G
    S
    D
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    或者可以使用在miniBLOC源终端
    作为主要或开尔文源
    特点
    •
    国际标准封装
    •
    miniBLOC ，用氮化铝
    •
    •
    坚固的多晶硅栅单元结构
    •
    非钳位感应开关（ UIS）
    •
    •
    快速内在整流器
    应用
    •
    DC- DC转换器
    评级
    低封装电感
    隔离
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    安装力矩
    终端连接扭矩
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    30
    g
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    600
    2
    4.5
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    100
    2
    75
    V
    V
    nA
    mA
    mA
    mW
    •
    •
    •
    •
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    直流斩波器
    温度和照明控制
    V
    DSS
    V
    GH （日）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 3毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    £
    300
    女士，
    占空比ð
    £
    2 %
    优势
    •
    易于安装
    •
    •
    节省空间
    高功率密度
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    98593B (7/00)
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-2

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