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    IXFN73N30 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN73N30图片预览
    型号： IXFN73N30
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 133 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN73N30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN73N30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN73N30的Datasheet PDF文件第4页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩，高dv / dt ，低吨
    rr
    V
    DSS
    IXFK 73 ñ 30
    IXFN 73 ñ 30
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    45 mΩ
    Ω
    Ω
    45 mΩ
    300 V
    73 A
    300 V
    73 A
    t
    rr
    ≤
    200纳秒
    TO- 264 AA （ IXFK ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    ≤
    1毫安
    T = 1分
    t=1s
    300
    -
    -
    0.9/6
    -
    10
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2 W
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    IXFK
    IXFN
    300
    300
    ±20
    ±30
    73
    292
    40
    30
    5
    500
    300
    300
    ±20
    ±30
    73
    292
    40
    30
    5
    520
    150
    -55 ... +150
    -
    2500
    3000
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    V~
    G =门
    S =源
    S
    D
    G
    D
    （ TAB ）
    S
    miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
    E153432
    S
    G
    -55 ... +150
    D =漏
    TAB =漏
    或者可以使用在miniBLOC源终端
    作为主要或开尔文源
    安装力矩
    终端连接扭矩
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    30
    g
    特点
    l
    国际标准封装
    l
    JEDEC TO- 264 AA ，环氧见面
    UL 94 V - 0阻燃等级
    l
    miniBLOC与氮化铝
    隔离
    l
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    l
    坚固的多晶硅栅单元结构
    l
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    l
    低封装电感
    l
    快速内在整流器
    应用
    l
    DC- DC转换器
    l
    同步整流
    l
    电池充电器
    l
    开关模式和谐振模
    电源
    l
    直流斩波器
    l
    温度和照明控制
    l
    低电压继电器
    优势
    l
    易于安装
    l
    节省空间
    l
    高功率密度
    92805J (11/01)
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    300
    2
    4
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    400
    2
    45
    V
    V
    nA
    uA
    mA
    mΩ
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    = ±20 V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    版权所有©2001 IXYS所有权利。

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