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IXFN80N50 参数 Datasheet PDF下载

IXFN80N50图片预览
型号: IXFN80N50
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET的单芯片MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 573 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXFN 80N50
10
8
V
DS
= 250 V
I
D
= 40 A
I
G
= 10毫安
30000
10000
西塞
6
4
2
0
电容 - pF的
F = 100KHz的
科斯
V
GS
- 伏特
1000
CRSS
100
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图。 7栅极电荷特性曲线
100
V
GS
= 0V
图。 8电容曲线
80
I
D
- 安培
T
J
= 125
O
C
60
40
T
J
= 25
O
C
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图。 9.源极到漏极电压降
1.000
R(日)
JC
- K / W
0.100
单脉冲
0.010
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10 。瞬态热阻
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。