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    IXFN80N50P 参数 Datasheet PDF下载

    IXFN80N50P图片预览
    型号： IXFN80N50P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PolarHV HiPerFET功率MOSFET [PolarHV HiPerFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 157 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFN80N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN80N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN80N50P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN80N50P的Datasheet PDF文件第5页  
    PolarHV
    TM
    HiPerFET
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩
    快速内在二极管
    IXFN 80N50P
    t
    rr
    R
    DS （ ON）
    V
    DSS
    I
    D25
    = 500 V
    = 66 A
    65 mΩ
    ≤
    Ω
    ≤
    200纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    短暂
    连续
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25 ℃，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25° C
    T
    C
    = 25° C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25° C
    最大额定值
    500
    500
    ±
    40
    ±
    30
    66
    200
    80
    80
    3.0
    10
    700
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
    E153432
    S
    G
    S
    D
    G =门
    S =源
    D =漏
    无论是源标签S能用于forsource
    电流或开尔文门的回报。
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    50/60赫兹;我
    ISOL
    ≤
    1
    mA
    300
    2500
    安装力矩
    终端连接力矩（ M4）的
    1.5 / 13牛米/ ib.in 。
    1.5 / 13牛米/ ib.in 。
    30
    g
    特点
    l
    快速内在二极管
    l
    国际标准套餐
    l
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    l
    UL认证。
    l
    隔离安装基座
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 500
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 8毫安
    V
    GS
    =
    ±
    30 V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 125° C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    500
    3.0
    5.0
    ±
    200
    25
    1
    65
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    mΩ
    优势
    l
    易于安装
    l
    节省空间
    l
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    注意1
    ©2006 IXYS所有权利
    DS99477E(01/06)

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