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IXFP12N50P 参数 Datasheet PDF下载

IXFP12N50P图片预览
型号: IXFP12N50P
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内容描述: Polar功率MOSFET HiperFET [Polar Power MOSFET HiperFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 144 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
IXFA12N50P
IXFP12N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500V
= 12A
500mΩ
Ω
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±30
±40
12
30
12
600
20
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
TO- 263 ( IXFA )
G
S
( TAB )
的TO-220 ( IXFP )
G
ð S
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.062 )
塑料机身10秒
安装力矩
TO-263
TO-220
(TO-220)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
特点
国际标准封装
非钳位感应开关
( UIS )额定
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
V
V
±100
nA
5
250
μA
μA
V
GS
= 10V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
500 mΩ
© 2008 IXYS公司,保留所有权利。
DS99436F(04/08)