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IXFP16N50P 参数 Datasheet PDF下载

IXFP16N50P图片预览
型号: IXFP16N50P
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内容描述: PolarHV HiPerFET功率MOSFET [PolarHV HiperFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 215 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFA16N50P
IXFP16N50P
IXFH16N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
TO-263
= 500V
= 16A
400mΩ
Ω
200ns
G
S
( TAB )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±
30
±
40
16
35
16
750
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nmlb.in.
N /磅。
g
g
g
TO-220
G
ð S
( TAB )
TO-247
G
D
( TAB )
S
D =漏
TAB =漏
G =门
S =源
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料体10秒
安装力矩
安装力
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
( TO-220 & TO-247 )
1.13 / 10
(TO-263)
10..65 / 2.2..14.6
2.5
3.0
6.0
特点
国际标准封装
额定雪崩
快速内在二极管
低封装电感
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
3.0
5.5
V
V
高功率密度
易于安装
节省空间
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
±
100 nA的
15
μA
250
μA
400 mΩ
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
©2009 IXYS公司,版权所有
DS99357F(05/09)