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    IXFR44N60 参数 Datasheet PDF下载

    IXFR44N60图片预览
    型号： IXFR44N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFETTM功率MOSFET ISOPLUS247 [HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 37 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXFR44N60的Datasheet PDF文件第2页  
    HiPerFET
    TM
    功率MOSFET
    ISOPLUS247
    TM
    （电隔离背面）
    单个MOSFET模
    IXFR 44N60
    V
    DSS
    = 600 V
    I
    D25
    = 38 A
    R
    DS （ ON）
    = 130毫瓦
    t
    rr
    £
    250纳秒
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1兆瓦
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，注1
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    £
    I
    DM
    ， di / dt的
    £
    100 A / MS ，V
    DD
    £
    V
    DSS
    T
    J
    £
    150℃ ，R
    G
    = 2
    W
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    38
    60
    44
    60
    3
    5
    400
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    ISOPLUS 247
    TM
    E153432
    G =门
    S =源
    *专利申请中
    D =漏
    特点
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    g
    •对直接铜键合硅芯片
    基板
    - 高功率耗散
    - 隔离安装面
    - 2500V电气隔离
    •低漏片电容（ <30pF ）
    •低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    •坚固的多晶硅栅单元结构
    •非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    •快速内在整流器
    应用
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    50/60赫兹， RMS
    T = 1分
    300
    2500
    5
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    600
    2.5
    V
    4.5 V
    ±100
    nA
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    100
    mA
    2毫安
    130毫瓦
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V.我
    D
    = 250毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    . I
    D
    = 4毫安
    V
    GS
    =
    ±20
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = I
    T
    注2 ， 3
    • DC-DC变换器
    •电池充电器
    •开关模式和谐振模式
    电源
    •直流斩波器
    • AC &直流电机控制
    优势
    •
    •
    •
    •
    组装方便
    节省空间
    高功率密度
    低噪音地
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    98728 (06/09/00)
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-2

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