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IXFX44N60 参数 Datasheet PDF下载

IXFX44N60图片预览
型号: IXFX44N60
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 107 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
IXFX 44N60
IXFK 44N60
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 600 V
=
44 A
= 130毫瓦
t
rr
£
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
44
176
44
60
3
5
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
6
10
g
g
PLUS 247
TM
( IXFX )
G
( TAB )
D
TO- 264 AA ( IXFK )
G
D
S
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
0.4/6
300
特点
•国际标准封装
•低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关( UIS)
评级
•低封装电感
- 易于驾驶和保护
•快速内在整流器
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
V
4.5 V
±100
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
mA
2毫安
130毫瓦
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
注1
应用
• DC-DC变换器
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
•温度和照明控制
优势
• PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
•节省空间
•高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
98611B (7/00)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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