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IXFX50N50 参数 Datasheet PDF下载

IXFX50N50图片预览
型号: IXFX50N50
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 96 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
50N50
55N50
50N50
55N50
50N50
55N50
V
DSS
IXFX 50N50
IXFX 55N50
I
D25
R
DS ( ON)
500 V 50 A 100毫欧
500 V 55 A 80毫欧
t
rr
250纳秒
最大额定值
500
500
±20
±30
50
55
200
220
50
55
60
3
5
520
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
6
V
V
V
V
PLUS 247
TM
( IXFX )
D( TAB )
A
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
l
G
D
特点
国际标准套餐
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
W
°
C
°C
°
C
°C
纳米/ lb.in 。
g
l
l
l
l
l
应用
l
l
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50N50
55N50
25
2
100
80
V
V
nA
µA
mA
m
m
l
l
l
l
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
注1
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
优势
l
l
l
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间
高功率密度
版权所有©2002 IXYS所有权利。
98507D (04/02)