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IXGH10N170 参数 Datasheet PDF下载

IXGH10N170图片预览
型号: IXGH10N170
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内容描述: 高压IGBT [High Voltage IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 188 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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高压
IGBT
IXGH10N170
IXGT10N170
V
CES
= 1700V
I
C90
= 10A
V
CE ( SAT )
4.0V
TO- 247 ( IXGH )
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
C
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GE
= 1M
Ω
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 16
Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
1700
1700
± 20
± 30
20
10
70
I
CM
= 20
@ 0.8 • V
CES
110
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 268和
JEDEC TO- 247 AD
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
坚固的结构不扩散核武器条约
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
应用
V
V
V
V
A
A
A
A
G =门
E =发射器
C
=收藏家
TAB =收藏家
G
G
C
E
C( TAB )
TO- 268 ( IXGT )
E
C( TAB )
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料体10秒
安装扭矩( TO- 247 )
TO-247
TO-268
300
260
1.13/10
6
4
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
I
C
= 250μA ,V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 • V
CES
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V, V
GE
= ± 20V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V ,注1
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
1700
3.0
5.0
50
500
±100
2.7
3.4
4.0
V
V
μA
μA
nA
V
电容放电&脉冲发生器电路
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
优势
高功率密度
适于表面安装
易与1个螺丝安装,
(隔绝安装螺纹孔)
© 2008 IXYS公司,保留所有权利。
DS98992A(10/08)