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    IXGH16N60C2D1 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH16N60C2D1图片预览
    型号： IXGH16N60C2D1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFAST IGBT的C2级高速瓦特/二极管 [HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed w/ Diode]
    分类和应用： 二极管双极性晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 217 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXGH16N60C2D1的Datasheet PDF文件第7页  
    HiPerFAST
    TM
    IGBT的
    C2级高速
    W /二极管
    IXGA16N60C2D1
    IXGP16N60C2D1
    IXGH16N60C2D1
    V
    CES
    =
    I
    C110
    =
    V
    CE （ SAT ）
    ≤
    t
    网络连接（典型值）
    =
    600V
    16A
    3.0V
    33ns
    TO- 263 AA （ IXGA ）
    G
    E
    C（ TAB ）
    符号
    V
    CES
    V
    CGR
    V
    GES
    V
    创业板
    I
    C25
    I
    C110
    I
    F110
    I
    CM
    SSOA
    （ RBSOA ）
    P
    C
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    F
    C
    T
    L
    T
    出售
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25° C到150° C，R
    GE
    = 1MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    = 25°C
    = 110°C
    = 110°C
    = 25 ° C， 1毫秒
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    40
    16
    11
    100
    I
    CM
    = 32
    V
    CE
    ≤
    V
    CES
    150
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    N /磅。
    °C
    °C
    g
    g
    g
    TO- 220AB （ IXGP ）
    G
    CE
    C（ TAB ）
    TO- 247 （ IXGH ）
    V
    GE
    = 15V ，T
    J
    = 125 ° C，R
    G
    = 22Ω
    钳位感性负载
    T
    C
    = 25°C
    G
    C
    D
    E
    S
    C（ TAB ）
    安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
    安装力（ TO- 263 ）
    1.13/10
    10..65 / 2.2..14.6
    300
    260
    2.5
    3.0
    6.0
    G =门
    E =发射器
    特点
    C =收藏家
    TAB =收藏家
    最大无铅焊接温度的
    1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
    TO-263
    TO-220
    TO-247
    优化的低开关损耗
    广场RBSOA
    反并联超快二极管
    国际标准封装
    优势
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 250μA ，V
    CE
    = V
    GE
    T
    J
    = 125°C
    V
    CE
    = 0V, V
    GE
    =
    ±20V
    I
    C
    = 12A ，V
    GE
    = 15V ，注1
    T
    J
    = 125°C
    V
    CE
    = V
    CES
    , V
    GE
    = 0V
    特征值
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    3.0
    5.5
    V
    25
    μA
    1毫安
    ±100
    nA
    3.0
    1.8
    V
    V
    高功率密度
    低栅极驱动要求
    应用
    电源逆变器
    UPS
    电机驱动
    SMPS
    PFC电路
    电池充电器
    焊接机
    灯镇流器
    © 2010 IXYS公司，版权所有
    DS99179B(08/10)

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