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IXGH17N100 参数 Datasheet PDF下载

IXGH17N100图片预览
型号: IXGH17N100
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内容描述: 低V IGBT高速IGBT [Low V IGBT High speed IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 69 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXGH17N100的Datasheet PDF文件第2页  
V
CES
低V
CE ( SAT )
IGBT
高速IGBT
I
C25
V
CE ( SAT )
3.5 V
4.0 V
IXGH / IXGM 17 N100 1000 V一34
IXGH / IXGM 17 N100A 1000 V一34
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GE
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 82
钳位感性负载, L = 300
µH
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
34
17
68
I
CM
= 34
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXGH )
G
C
E
TO- 204 AE ( IXGM )
C
G =门,
E =发射器,
C =收藏家,
TAB =收藏家
安装扭矩( M3 )
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克, TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
250
1
±100
17N100
17N100A
3.5
4.0
V
V
µA
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE ( SAT )
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
额定电压保证在高
温度(125℃ )
l
l
l
l
l
l
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 3毫安, V
GE
= 0 V
= 250
µA,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 • V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
l
l
l
l
l
l
l
优势
易与1螺钉安装( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)
高功率密度
版权所有©1996 IXYS所有权利。
91515E (3/96)