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    IXGH32N170 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH32N170图片预览
    型号： IXGH32N170
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压IGBT [High Voltage IGBT]
    分类和应用： 双极性晶体管高压
    文件页数/大小： 5 页 / 578 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH32N170的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH32N170的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH32N170的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH32N170的Datasheet PDF文件第5页  
    高压
    IGBT
    初步数据表
    IXGH 32N170 V
    CES
    IXGT 32N170我
    C25
    V
    CE （ SAT ）
    t
    网络连接（典型值）
    = 1700 V
    =
    75 A
    = 3.3 V
    = 250纳秒
    符号
    V
    CES
    V
    CGR
    V
    GES
    V
    创业板
    I
    C25
    I
    C90
    I
    CM
    SSOA
    （ RBSOA ）
    P
    C
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GE
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 90°C
    T
    C
    = 25 ° C， 1毫秒
    V
    GE
    = 15 V ，T
    VJ
    = 125 ° C，R
    G
    = 5
    Ω
    钳位感性负载
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    1700
    1700
    ±20
    ±30
    75
    32
    200
    I
    CM
    = 90
    @ 0.8 V
    CES
    350
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    260
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    TO- 268 （ IXGT ）
    G
    E
    C（ TAB ）
    的TO- 247的AD
    （ IXGH ）
    G
    C（ TAB ）
    C
    E
    C =收藏家，
    TAB =收藏家
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    °C
    G =门，
    E =发射器，
    特点
    国际标准封装
    JEDEC TO- 268和
    JEDEC TO- 247 AD
    高电流处理能力
    MOS栅极导通
    - 驱动器的简单
    坚固的结构不扩散核武器条约
    成型环氧符合UL 94 V- 0
    易燃性分类科幻阳离子
    应用
    电容放电&脉冲发生器电路
    交流电机调速
    直流伺服和机器人的驱动器
    直流斩波器
    不间断电源（ UPS ）
    开关模式和谐振模
    电源
    优势
    高功率密度
    适于表面安装
    易与1个螺丝安装，
    （隔绝安装螺纹孔）
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    最高选项卡下的10秒贴片焊接设备
    M
    d
    重量
    安装扭矩（ M3 ）
    1.13/10Nm/lb.in.
    的TO- 247的AD
    TO-268
    6
    4
    g
    g
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1700
    3.0
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    5.0
    50
    1
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    2.5
    3.0
    3.3
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    V
    V
    BV
    CES
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    I
    C
    = 250
    µA,
    V
    GE
    = 0 V
    = 250
    µA,
    V
    CE
    = V
    GE
    V
    CE
    = 0.8 • V
    CES
    V
    GE
    = 0 V
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±20
    V
    I
    C
    = I
    C90
    , V
    GE
    = 15 V
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    DS98941B(11/03)

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