IXGH39N60B
IXGT39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
图。 7.跨导
50
40
G
FS
- 西门子
30
20
10
0
0
20
40
60
80
I
C
- 安培
100
120
T
J
= -40
º
C
25ºC
125ºC
图。 8.依赖的E
关闭
关于我
C
16
14
E
关闭
- 毫焦耳
12
10
8
6
4
2
10
30
50
I
C
- 安培
70
90
R
G
= 5欧姆
T
J
= 125
º
C
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
R
G
= 56欧姆
图。 9.依赖的E
关闭
R上
G
16
14
E
关闭
- 毫焦耳
12
E
关闭
- 毫焦耳
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
R
G
- 欧姆s
40
50
60
I
C
= 19.5A
T
J
= 125ºC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 39A
I
C
= 78A
12
9
6
3
0
18
15
图。 10.依赖的E
关闭
on
温度
实线 - R的
G
= 5欧姆
虚线 - R的
G
= 56欧姆
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
=
78A
I
C
=
39A
I
C
=
19.5A
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- ℃温度下
图。 11.栅极电荷
15
12
V
CE
- 伏特
9
6
3
0
0
20
40
60
80
Q
G
- nanocoulombs
100
120
V
CE
=300V
I
C
=20A
图。 12.瞬态热响应
1
R
（日） JC
（ C / W ）
I
G
=10mA
0.1
0.01
1
10
100
脉冲宽度 - 毫秒
1000
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXYS [ IXYS CORPORATION ]
