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    IXGH32N60CD1 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH32N60CD1图片预览
    型号： IXGH32N60CD1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFAST IGBT与二极管 [HiPerFAST IGBT with Diode]
    分类和应用： 二极管双极性晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 164 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH32N60CD1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH32N60CD1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH32N60CD1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH32N60CD1的Datasheet PDF文件第5页  
    HiPerFAST
    TM
    IGBT
    随着二极管
    光速系列
    IXGH 32N60CD1
    IXGT 32N60CD1
    V
    CES
    I
    C25
    V
    CE （ SAT ）典型值
    t
    网络连接（典型值）
    = 600 V
    = 60 A
    = 2.1 V
    = 55 ns的
    符号
    V
    CES
    V
    CGR
    V
    GES
    V
    创业板
    I
    C25
    I
    C90
    I
    CM
    SSOA
    （ RBSOA ）
    P
    C
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GE
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 90°C
    T
    C
    = 25 ° C， 1毫秒
    V
    GE
    = 15 V ，T
    VJ
    = 125 ° C，R
    G
    = 10
    Ω
    钳位感性负载@ 0.8 V
    CES
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    60
    32
    120
    I
    CM
    = 64
    200
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    1.13/10
    6
    5
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    纳米/ lb.in 。
    g
    g
    AD TO- 247 （ IXGH ）
    G
    C
    E
    C（ TAB ）
    的TO- 268 （ D3）， （ IXGT ）
    G
    E
    C（ TAB ）
    G =门
    E =发射器
    C =收藏家
    最大的铅和Tab焊接温度
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    M
    d
    重量
    安装扭矩， AD TO- 247
    的TO- 247的AD
    TO-268
    特点
    国际标准的TO- 247AD
    包
    高电流处理能力
    最新一代HDMOS
    TM
    过程
    MOS栅极导通
    - 驱动器的简单
    应用
    不间断电源（ UPS ）
    开关模式和谐振模
    电源
    交流电机调速
    直流伺服和机器人的驱动器
    直流斩波器
    优势
    高功率密度
    非常快的开关速度高
    频率的应用
    高功率表面贴装封装
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    600
    2.5
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    5.0
    200
    3
    ±100
    2.1
    2.5
    V
    V
    µA
    mA
    nA
    V
    BV
    CES
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    I
    C
    = 250μA ，V
    GE
    = 0 V
    = 250
    µA,
    V
    CE
    = V
    GE
    V
    CE
    = 0.8 • V
    CES
    V
    GE
    = 0 V
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±20
    V
    I
    C
    = I
    C90
    , V
    GE
    = 15 V
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    97544E (6/02)

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