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    IXGH40N60B2 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH40N60B2图片预览
    型号： IXGH40N60B2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFAST IGBT [HiPerFAST IGBT]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 579 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH40N60B2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH40N60B2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH40N60B2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH40N60B2的Datasheet PDF文件第5页  
    高级技术数据
    HiPerFAST
    TM
    IGBT
    硬盘优化10-25千赫
    开关和高达150千赫
    谐振开关
    IXGH 40N60B2
    IXGT 40N60B2
    V
    CES
    I
    C25
    V
    CE （ SAT ）
    t
    fi
    典型值
    = 600 V
    = 75 A
    < 1.7 V
    = 82 ns的
    符号
    V
    CES
    V
    CGR
    V
    GES
    V
    创业板
    I
    C25
    I
    C110
    I
    CM
    SSOA
    （ RBSOA ）
    P
    C
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GE
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C （受引线）
    T
    C
    = 110°C
    T
    C
    = 25 ° C， 1毫秒
    V
    GE
    = 15 V ，T
    VJ
    = 125 ° C，R
    G
    = 10
    Ω
    钳位感性负载@
    ≤
    600 V
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    75
    40
    200
    I
    CM
    = 80
    300
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    TO-268
    （ IXGT ）
    G
    E
    C（ TAB ）
    的TO- 247的AD
    （ IXGH ）
    C（ TAB ）
    G
    C
    E
    C =收藏家，
    TAB =收藏家
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    特点
    G =门，
    E =发射器，
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    M
    d
    重量
    安装扭矩（ M3 ）
    的TO- 247的AD
    TO- 268贴片
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    6
    4
    g
    g
    中频IGBT
    广场RBSOA
    高电流处理能力
    MOS栅极导通
    - 驱动器的简单
    应用
    PFC电路
    不间断电源（ UPS ）
    开关模式和谐振模
    电源
    交流电机调速
    直流伺服和机器人的驱动器
    直流斩波器
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    3.0
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 150°C
    5.0
    50
    1
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    1.7
    V
    µA
    mA
    nA
    V
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 250
    µA,
    V
    CE
    = V
    GE
    V
    CE
    = V
    CES
    V
    GE
    = 0 V
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±20
    V
    I
    C
    = 30 A，V
    GE
    = 15 V
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    DS99049A(11/03)

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