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    IXGH50N90B2D1 参数 Datasheet PDF下载

    IXGH50N90B2D1图片预览
    型号： IXGH50N90B2D1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HiPerFAST IGBT与二极管快 [HiPerFAST IGBT with Fast Diode]
    分类和应用： 二极管双极性晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 201 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXGH50N90B2D1的Datasheet PDF文件第7页  
    HiPerFAST
    TM
    IGBT具有快速
    二极管
    IXGH 50N90B2D1
    IXGK 50N90B2D1
    IXGX 50N90B2D1
    B2级高速IGBT
    与快速二极管
    初步数据表
    符号
    V
    CES
    V
    CGR
    V
    GES
    V
    创业板
    I
    C25
    I
    C110
    I
    CM
    SSOA
    （ RBSOA ）
    P
    C
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    M
    d
    F
    C
    重量
    安装力矩（ TO- 247 ， TO- 264 ）
    安装力（ PLUS247 ）
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GE
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C （受引线）
    T
    C
    = 110°C
    T
    C
    = 25 ° C， 1毫秒
    V
    GE
    = 15 V ，T
    VJ
    = 125 ° C，R
    G
    = 10
    Ω
    钳位感性负载@
    ≤
    600V
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    900
    900
    ±
    20
    ±
    30
    75
    50
    200
    I
    CM
    = 100
    400
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    300
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    V
    CES
    I
    C25
    V
    CE （ SAT ）
    t
    fi
    典型值
    = 900 V
    = 75 A
    = 2.7 V
    = 200纳秒
    TO- 247 （ IXGH ）
    C（ TAB ）
    G
    C
    E
    PLUS247 （ IXGX ）
    C（ TAB ）
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    G
    D
    G
    C
    E
    TO- 264 （ IXGK ）
    1.13/10Nm/lb.in.
    20..120 / 4.5..25
    TO-247
    TO-264
    PLUS247
    6
    10
    6
    N /磅
    g
    g
    g
    S
    C（ TAB ）
    C =收藏家
    TAB =收藏家
    G =门
    E =发射器
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 250
    μA,
    V
    CE
    = V
    GE
    V
    CE
    = V
    CES
    V
    GE
    = 0 V
    V
    CE
    = 0 V, V
    GE
    =
    ±
    20 V
    I
    C
    = I
    C110
    , V
    GE
    = 15 V ，注1
    T
    J
    = 150°C
    特征值
    分钟。典型值。马克斯。
    3.0
    5.0
    50
    1
    ±
    100
    2.2
    T
    J
    = 125°C
    2.7
    V
    μA
    mA
    nA
    V
    V
    特点
    高频IGBT
    高电流处理能力
    MOS栅极导通
    - 驱动器的简单
    应用
    PFC电路
    不间断电源（ UPS ）
    开关模式和谐振模
    电源
    交流电机调速
    直流伺服和机器人的驱动器
    直流斩波器
    优势
    高功率密度
    非常快的开关速度高
    频率的应用
    DS99393(01/06)
    ©2006 IXYS所有权利

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