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IXGN60N60 参数 Datasheet PDF下载

IXGN60N60图片预览
型号: IXGN60N60
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内容描述: 超低VCE ( SAT ) IGBT [Ultra-Low VCE(sat) IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 70 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXGN60N60的Datasheet PDF文件第2页  
超低V
CE ( SAT )
IGBT
IXGN 60N60
V
CES
= 600 V
I
C25
= 100 A
V
CE ( SAT )
= 1.7 V
初步数据表
E
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
VJ
= 125 ° C,R
G
= 10
W
钳位感性负载, L = 30
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
100
60
200
I
CM
= 100
@ 0.8 V
CES
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
SOT- 227B miniBLOC
E
x
G
E
x
C
G =门, C =收藏家, E =发射器
x
任一发射极端子可用于
作为主要或开尔文射
特点
q
q
q
安装力矩
终端连接力矩( M4)的
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
300
g
°C
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
q
q
q
国际标准套餐
SOT-227B
氮化铝隔离
- 高功率耗散
隔离电压3000 V〜
非常高的电流,快速开关
IGBT
低V
CE ( SAT )
最低通态
导通损耗
MOS栅极导通驱动器的简单
低集电极到外壳电容
( <为50 pF )
低封装电感( < 5 NH)
- 易于驾驶和保护
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
200
1
±100
1.7
V
V
mA
mA
nA
V
q
q
q
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 250
毫安,
V
GE
= 0 V
= 250
毫安,
V
CE
= V
GE
q
q
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
V
CE
= 0.8 • V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
优势
q
q
q
容易用2个螺丝安装
节省空间
高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
97521E (7/00)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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