IXKN75N60C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IXKN75N60C
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内容描述：	的CoolMOS功率MOSFET [CoolMOS Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 72 K
品牌：	IXYS [ IXYS CORPORATION ]

的CoolMOS功率MOSFET

IXKN 75N60C

N沟道增强模式

低R

DSON

，高V

DSS

MOSFET

DSS

600 V

D25

75 A

DS （ ON）

35 mΩ

Ω

初步

MOSFET

符号

DSS

D25

D90

dv / dt的

= 25°C

= 90°C

＆ LT ; V

DSS

; I

≤

100A;di

/ dt≤ 200A / μs的

= 150°C

= 10 A; L = 36 mH的;牛逼

= 25°C

= 20 A; L = 5微亨;牛逼

= 25°C

条件

= 25 ℃至150 ℃的

最大额定值

miniBLOC ， SOT- 227 B

E72873

600

±20

1.8

V / ns的

G =门

S =源

D =漏

或者可以使用在miniBLOC源终端

作为主要或开尔文源

符号

条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。马克斯。

3.5

0.1

35 mΩ

5.5

特点

●

DSON

gsth

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

thJC

= 10 V ;我

= I

D90

= 20V;我

= 5毫安;

= V

DSS

; V

= 0 V ;牛逼

= 25°C

= 125°C

= ±20 V; V

= 0 V

= 10 V; V

= 350 V ;我

= 100 A

0.05毫安

●

miniBLOC包

- 电气隔离纯铜底座

- 低耦合电容的散热片进行

降低EMI

- 高功率耗散，由于氮化铝

陶瓷基板

- 国际标准封装SOT- 227

- 易于装配螺丝

快速的CoolMOS功率MOSFET - 2

GENERATION

- 高阻断能力

- 低导通电阻

- 雪崩额定松开

感应开关（ UIS）

- 低热阻

由于减少了芯片的厚度

增强的总功率密度

200 nA的

440

112

246

100

0.9

1.1

●

= 10 V; V

= 380 V;

= 50 A; ř

= 1

Ω

（反向传导）I

= 37.5 A; V

= 0 V

应用

●

0.22 K / W

●

开关模式电源（ SMPS ）

不间断电源（ UPS ）

功率因数校正（ PFC ）

焊接

感应加热

的CoolMOS是一个商标

英飞凌科技股份公司。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

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