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    IXTA05N100 参数 Datasheet PDF下载

    IXTA05N100图片预览
    型号： IXTA05N100
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压的MOSFET [High Voltage MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 537 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTA05N100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA05N100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA05N100的Datasheet PDF文件第4页  
    高电压的MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩能量
    IXTA 05N100
    V
    DSS
    IXTP 05N100
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 1000 V
    = 750毫安
    = 17
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    最大额定值
    TO- 220AB （ IXTP ）
    1000
    1000
    ±30
    ±40
    750
    3
    1.0
    V
    V
    V
    V
    mA
    A
    A
    mJ
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    特点
    国际标准封装
    高电压，低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    快速开关时间
    g
    °C
    G =门，
    S =源，
    D =排水，
    TAB =漏
    G
    S
    D（ TAB ）
    GD
    S
    D（ TAB ）
    TO- 263 AA （ IXTA ）
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 47
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    5
    100
    3
    40
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    安装力矩
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    4
    300
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1000
    2.5
    4.5
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    15
    25
    500
    17
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    Ω
    应用
    开关模式和谐振模
    电源
    反激式转换器
    直流斩波器
    高频匹配
    优势
    节省空间
    高功率密度
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 25
    µA
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 375毫安
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    版权所有©2004 IXYS所有权利。
    DS98736B(10/04)

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