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    IXTH12N120 参数 Datasheet PDF下载

    IXTH12N120图片预览
    型号： IXTH12N120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET ，额定雪崩高压 [Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 546 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTH12N120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTH12N120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTH12N120的Datasheet PDF文件第4页  
    IXTH 12N120
    功率MOSFET ，额定雪崩
    高压
    初步数据表
    V
    DSS
    =
    1200 V
    I
    D（续）
    =
    12 A
    R
    DS （ ON）
    =
    1.4
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    最大额定值
    1200
    1200
    ±30
    ±40
    12
    48
    12
    30
    1.0
    500
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    W
    °C
    °C
    °C
    g
    °C
    的TO- 247的AD
    连续
    短暂
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    T
    C
    = 25°C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    = 25°C
    = 25°C
    = 25°C
    D（ TAB ）
    G =门，
    S =源，
    D =排水，
    TAB =漏
    特点
    国际标准套餐
    JEDEC TO- 247 AD
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    快速开关时间
    安装力矩
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    6
    300
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    应用
    开关模式和谐振模
    电源
    电机控制
    不间断电源（ UPS ）
    直流斩波器
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1200
    3
    5
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    25
    3
    1.4
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    优势
    易与1个螺丝安装
    （隔绝安装螺纹孔）
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
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    DS98937E(04/04)

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