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IXTH67N10 参数 Datasheet PDF下载

IXTH67N10图片预览
型号: IXTH67N10
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内容描述: MegaMOSFET [MegaMOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 114 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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Megamos
TM
FET
IXTH / IXTM 67N10
IXTH / IXTM 75N10
N沟道增强模式
V
DSS
100 V
100 V
I
D25
R
DS ( ON)
67一25毫欧
75一个20 mΩ的
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
67N10
75N10
67N10
75N10
最大额定值
100
100
±20
±30
67
75
268
300
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXTH )
D( TAB )
TO- 204 AE ( IXTM )
D
G =门,
S =源,
G
D =排水,
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克, TO- 247 = 6克
300
°C
特点
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感( < 5 NH)
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.025
0.020
V
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源( UPS )
直流斩波器
l
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
nA
µA
mA
优势
易与1螺钉安装( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
l
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有©2000 IXYS所有权利。
l
l
67N10
75N10
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91533E(5/96)
1-4