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IXTH7P50 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IXTH7P50
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内容描述: 标准功率MOSFET P沟道增强型额定雪崩 [Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 77 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
 浏览型号IXTH7P50的Datasheet PDF文件第2页  
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
标准功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
IXTH 7P50
IXTH 8P50
-500V -7 1.5
-500V -8 A 1.2
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
J
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
7P50
8P50
7P50
8P50
7P50
8P50
最大额定值
-500
-500
±20
±30
-7
-8
-28
-32
-7
-8
30
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
°
C
°
C
纳米/ lb.in 。
g
的TO- 247的AD
D( TAB )
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
特点
国际标准套餐
低R
HDMOS过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
TM
DS ( ON)
JEDEC TO- 247 AD
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
1.13/10
6
低封装电感( <5 NH)
- 易于驾驶和保护
评级
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
-500
0.054
-3.0
-0.122
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-200
-1
-5.0
V
%/K
V
%/K
nA
µA
mA
应用
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= -250
µA
BV
DSS
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
µA
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= -10 V,I
D
= 0.5 I
D25
高侧开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
优势
易与1个螺丝安装
节省空间
高功率密度
(隔绝安装螺纹孔)
7P50
8P50
R
DS ( ON)
温度COEF网络cient
1.5
1.2
0.6 %/K
版权所有©2001 IXYS所有权利。
94534E (6/01)