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    IXTK62N25 参数 Datasheet PDF下载

    IXTK62N25图片预览
    型号： IXTK62N25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电流MegaMOSFET [High Current MegaMOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 87 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTK62N25的Datasheet PDF文件第2页  
    高级技术信息
    HIGH CURRENT
    Megamos
    TM
    FET
    N沟道增强模式
    IXTK 62N25
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 250 V
    = 62 A
    Ω
    = 35 mΩ
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1.0 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 2
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    250
    250
    ±20
    ±30
    62
    248
    62
    45
    1.5
    5
    390
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °
    C
    °
    C
    °
    C
    °
    C
    纳米/ lb.in 。
    g
    特点
    G
    D
    S
    TO- 264 AA （ IXTK ）
    D（ TAB ）
    G =门
    S =源
    D
    =漏
    TAB =漏
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    安装力矩
    TO-264
    300
    0.7/6
    10
    •
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    •
    坚固的多晶硅栅单元结构
    •
    国际标准套餐
    •
    快速开关时间
    应用
    符号测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有规定编）
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    = ± 20 V DC ，V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    250
    2.0
    4.0
    ±100
    V
    V
    nA
    •
    •
    •
    电机控制
    直流斩波器
    开关模式电源
    优势
    •
    •
    •
    50
    µA
    2毫安
    35 mΩ
    容易用一颗螺丝安装
    （隔绝安装螺纹孔）
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300毫秒，占空比ð
    ≤
    2%
    版权所有©2002 IXYS所有权利。
    98877A (02/02)

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