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    IXTN21N100 参数 Datasheet PDF下载

    IXTN21N100图片预览
    型号： IXTN21N100
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压MegaMOSTMFETs [High Voltage MegaMOSTMFETs]
    分类和应用： 高压
    文件页数/大小： 4 页 / 140 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTN21N100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTN21N100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTN21N100的Datasheet PDF文件第4页  
    高压
    Megamos
    TM
    场效应管
    IXTK 21N100
    IXTN 21N100
    V
    DSS
    = 1000 V
    = 21 A
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 0.55
    Ω
    N沟道，增强模式
    TO- 264 AA （ IXTK ）
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    ≤
    1毫安
    T = 1分
    t=1s
    300
    -
    -
    0.9/6
    -
    10
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25 ℃，芯片能力
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    IXTK
    IXTN
    1000
    1000
    ±20
    ±30
    21
    84
    500
    1000
    1000
    ±20
    ±30
    21
    84
    520
    150
    -55 ... +150
    -
    2500
    3000
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    V~
    V~
    S
    S
    D
    G
    S
    G
    D
    S
    D（ TAB ）
    miniBLOC ， SOT- 227 B
    E153432
    D
    G
    S
    -55 ... +150
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    或者可以使用在miniBLOC源终端
    作为主要或开尔文源
    安装力矩
    终端连接扭矩
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    1.5 / 13牛米/ lb.in 。
    30
    g
    特点
    国际标准封装
    JEDEC TO- 264 ，环氧符合UL 94 V- 0
    易燃性分类科幻阳离子
    miniBLOC ， （ ISOTOP兼容）与
    氮化铝隔离
    低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    坚固的多晶硅栅单元结构
    低封装电感
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    应用
    符号
    测试条件
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    1000
    2
    4.5
    ±200
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    500
    2
    0.55
    V
    V
    nA
    µA
    mA
    Ω
    DC- DC转换器
    同步整流
    电池充电器
    开关模式和谐振模
    电源
    直流斩波器
    温度和照明控制
    V
    DSS
    V
    GH （日）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 6毫安
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 500
    µA
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 0.8 • V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    92808I(5/97)
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 • I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
    版权所有©2000 IXYS所有权利。
    1-4

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