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IXTP1R6N50P 参数 Datasheet PDF下载

IXTP1R6N50P图片预览
型号: IXTP1R6N50P
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内容描述: PolarHV功率MOSFET [PolarHV Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 119 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500
= 1.6
6.5
V
A
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 50
T
C
= 25°C
最大额定值
TO- 252 ( IXTY )
500
500
±30
±40
1.6
2.5
1.6
5
75
10
43
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
G
G
S
( TAB )
TAB
的TO-220 ( IXTP )
W
°C
°C
°C
°C
°C
ð S
( TAB )
D =漏
TAB =漏
G =门
S =源
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高温度标签焊接
TO- 252封装的10秒
安装扭矩( TO- 220 )
TO-252
TO-220
300
260
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.8
4
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±100
5
50
6.5
V
V
nA
µA
µA
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
版权所有©2005 IXYS所有权利
DS99441(09/05)