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    IXTP5N50P 参数 Datasheet PDF下载

    IXTP5N50P图片预览
    型号： IXTP5N50P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PolarHV功率MOSFET - N沟道增强模式 [PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 101 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTP5N50P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP5N50P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP5N50P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP5N50P的Datasheet PDF文件第5页  
    高级技术信息
    PolarHV
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    IXTA 5N50P
    IXTP 5N50P
    IXTY 5N50P
    V
    DSS
    = 500 V
    = 4.8 A
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    ≤
    1.4
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 20
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    最大额定值
    500
    500
    ±
    30
    ±
    40
    4.8
    10
    5
    20
    250
    10
    89
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    °C
    TO- 263 （ IXTA ）
    G
    S
    （ TAB ）
    的TO-220 （ IXTP ）
    G
    ð S
    （ TAB ）
    TO- 252 （ IXTY ）
    G
    S
    （ TAB ）
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    最高温度标签焊接
    的TO- 263封装为10秒
    安装力矩
    TO-220
    TO-263
    TO-252
    (TO-220)
    300
    260
    M
    d
    重量
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    4
    3
    0.8
    g
    g
    g
    G =门
    S =源
    D =漏
    TAB =漏
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 50μA
    V
    GS
    =
    ±30
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 125°C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    500
    3.0
    5.0
    ±100
    5
    50
    1.4
    V
    V
    nA
    μA
    μA
    Ω
    特点
    国际标准封装
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    优势
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    μs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    版权所有©2005 IXYS所有权利
    DS99446(08/05)

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