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IXTP8N50P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IXTP8N50P
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内容描述: PolarHV功率MOSFET N沟道增强型额定雪崩 [PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 228 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500
=
8
0.8
V
A
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 18
T
C
= 25° C
最大额定值
500
500
±30
±40
8
14
8
20
400
10
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 263 ( IXTA )
G
S
( TAB )
的TO-220 ( IXTP )
G
ð S
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力矩
TO-220
TO-263
(TO-220)
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
3
g
g
特点
l
l
l
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100µA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±100
5
50
0.8
V
V
nA
µA
µA
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
©2006 IXYS所有权利
DS99321E(03/06)