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    IXTQ96N15P 参数 Datasheet PDF下载

    IXTQ96N15P图片预览
    型号： IXTQ96N15P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式的初步数据表 [N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 580 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTQ96N15P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTQ96N15P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTQ96N15P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTQ96N15P的Datasheet PDF文件第5页  
    PolarHT
    TM
    功率MOSFET
    N沟道增强模式
    初步数据表
    IXTQ 96N15P
    IXTT 96N15P
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 150 V
    = 96 A
    Ω
    = 24
    mΩ
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    D（ RMS）
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    T
    L
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至175 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃〜175 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    最大额定值
    150
    150
    ±20
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    J
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    °C
    TO-3P （ IXTQ ）
    T
    C
    = 25°C
    外部引线电流限制
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 4
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    96
    75
    250
    60
    40
    1.0
    10
    480
    -55 ... +175
    175
    -55 ... +150
    G
    D
    S
    （ TAB ）
    TO- 268 （ IXTT ）
    G
    G =门
    S =源
    S
    D =漏
    TAB =漏
    D（ TAB ）
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    安装力矩
    TO-3P
    TO-268
    (TO-3P)
    300
    特点
    国际标准封装
    非钳位感应开关（ UIS）
    评级
    低封装电感
    - 易于驾驶和保护
    优势
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    5.5
    5.0
    g
    g
    符号
    测试条件
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 150°C
    特征值
    MIN 。 TYP 。
    马克斯。
    150
    2.5
    5.0
    ±100
    25
    250
    24
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    mΩ
    易于安装
    节省空间
    高功率密度
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 I
    D25
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    PolarHT
    TM
    DMOS晶体管
    利用专有的设计和
    流程。美国专利正在申请中。
    DS99131C(05/04)
    版权所有©2004 IXYS所有权利。

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