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    IXTY1N80 参数 Datasheet PDF下载

    IXTY1N80图片预览
    型号： IXTY1N80
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压的MOSFET [High Voltage MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 62 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXTY1N80的Datasheet PDF文件第2页  
    高电压的MOSFET
    N沟道增强模式
    额定雪崩能量
    初步数据
    IXTA 1N80
    IXTP 1N80
    IXTY 1N80
    V
    DSS
    I
    D25
    R
    DS （ ON）
    = 800
    V
    = 750毫安
    = 11
    Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    E
    AS
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    重量
    测试条件
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃的
    T
    J
    = 25 ℃至150 ℃; ř
    GS
    = 1 MΩ
    连续
    短暂
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25 ° C，脉冲宽度限制T
    JM
    最大额定值
    800
    800
    ±20
    ±30
    750
    3
    1.0
    V
    V
    V
    V
    mA
    A
    A
    mJ
    mJ
    V / ns的
    W
    °C
    °C
    °C
    TO- 220AB （ IXTP ）
    GD
    S
    D（ TAB ）
    TO- 263 AA （ IXTA ）
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    I
    S
    ≤
    I
    DM
    ， di / dt的
    ≤
    100 A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150℃ ，R
    G
    = 47
    Ω
    T
    C
    = 25°C
    5
    100
    3
    40
    -55 ... +150
    150
    -55 ... +150
    G
    S
    D（ TAB ）
    TO- 252 AA （ IXTY ）
    G
    S
    D（ TAB ）
    安装力矩
    TO-220
    TO-252
    TO-263
    1.13 / 10牛米/ lb.in 。
    4
    0.8
    3
    300
    g
    g
    g
    °C
    G =门，
    S =源，
    D =排水，
    TAB =漏
    特点
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    符号
    测试条件
    !
    国际标准封装
    !
    高电压，低R
    DS （ ON）
    HDMOS
    TM
    过程
    !
    坚固的多晶硅栅单元结构
    特征值
    (T
    J
    = 25 ° C，除非另有规定编）
    分钟。典型值。马克斯。
    800
    2.5
    4.5
    ±100
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    9.5
    25
    500
    11
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    Ω
    !
    快
    开关时间
    应用
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 25
    µA
    V
    GS
    =
    ±20
    V
    DC
    , V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = V
    DSS
    V
    GS
    = 0 V
    !
    开关模式
    !
    !
    直流斩波器
    !
    高频
    优势
    和谐振模式
    电源
    反激式转换器
    匹配
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 500毫安
    脉冲测试，T
    ≤
    300
    µs,
    占空比ð
    ≤
    2 %
    !
    节省空间
    !
    高功率密度
    DS98822C(11/03)
    版权所有© 2003 IXYS所有权利。

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