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MCD26-16IO1B 参数 Datasheet PDF下载

MCD26-16IO1B图片预览
型号: MCD26-16IO1B
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内容描述: 晶闸管模块可控硅/二极管模块 [Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules]
分类和应用: 可控硅二极管
文件页数/大小: 4 页 / 165 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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中冶26
MCD 26
符号
I
RRM
, I
DRM
V
T
, V
F
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
, I
F
= 80 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
=
=
=
=
25°C
-40°C
25°C
-40°C
特征值
3
1.64
0.85
11.0
1.5
1.6
100
200
0.2
10
450
200
2
典型值。
150
50
6
0.88
0.44
1.08
0.54
12.7
9.6
50
mA
V
V
mΩ
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
µs
µs
µC
A
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
10
0.1
10
0
I
GD
, T
VJ
= 125°C
10
1
10
2
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
=
5W
6: P
GM
= 10 W
10
3
I
G
V
G
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
3
1
1
4
2
5
6
V
D
=
2
/
3
V
DRM
T
VJ
= 25°C ;吨
P
= 10微秒; V
D
= 6 V
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ; ř
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; I
T
= 20 A,T
P
= 200微秒; -di / DT = 10 A / μs的
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20 V / μs的; V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= T
VJM
; I
T
, I
F
= 25 A, -di / DT = 0.64 A / μs的
晶闸管/二极管;直流电流
模块
晶闸管/二极管;直流电流
模块
mA
10
4
图。 1,门极触发特性
1000
T
VJ
= 25°C
µs
t
gd
典型值。
100
极限
其他值
参照图8/9
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
为模块式MCC 26 1版本B的可选配件
键控门/阴极双插头与导线长度= 350毫米,门=黄,阴极
=红
TYPE
ZY 200L
( L =左为引脚对4/5 )
UL 758 ,风格1385 ,
TYPE
ZY 200R
( R =适合对引脚6/7) CSA类5851 ,引导460-1-1
1
10
100
I
G
mA
1000
图。 2门极触发延迟时间
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
MCC第1版B
中冶8版B
MCD 8版B
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利
2-4
版权所有©2004 IXYS所有权利。
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