先进的技术信息
双电源
MOSFET模块
共源极连接
N沟道增强模式
VMK 165-007T
V
DSS
= 70 V
I
D25
= 165 A
R
DS （ ON）
= 7毫瓦
4 5
1
2
3
6 7
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D
I
DM
P
合计
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 6.8千瓦
连续
短暂
最大额定值
70
70
±20
±30
165
104
660
390
-40 ... +150
150
-40 ... +125
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
V~
V~
TO- 240 AA
E 72873
1
2
3
6
7
4
5
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25 ° C，T
p
= 10微秒，脉冲宽度为T的限制
JM
T
C
= 25 ° C，T
J
= 150°C
1 ， 3 =排水，
5 ， 6 =门，
2 =公共源
4 ， 7 =开尔文源
50/60赫兹
I
ISOL
£
1毫安
T = 1分
t=1s
3000
3600
特点
•
•
安装扭矩（ M5或10-32 UNF ）
终端连接扭矩（ M5 ）
典型的包括螺钉
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
2.5-4.0 / 22-35牛米/ lb.in 。
90
g
•
•
•
•
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
70
2
4
V
V
•
•
两个MOSFET具有共同来源
国际标准套餐
JEDEC TO- 240 AA
直接键合铜铝
2
O
3
陶瓷的
BASE PLATE
隔离电压3000 V〜
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
高低封装电感
高速开关
开尔文源接触
键控双插头
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V DC ，V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
,
V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C
V
DS
= 0.8 • V
DSS
, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试，T
£
300微秒，占空比ð
£
2 %
应用
•
•
500 nA的
200 µA
1毫安
6
7毫瓦
•
•
推挽式逆变器
开关模式和谐振模
电源
不间断电源（ UPS ）
AC静态开关
每个MOSFET的数据，除非另有说明。
优势
•
•
•
•
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
高功率密度
低损耗
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