HS8N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HS8N60
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 1149 K
品牌：	JFW [ JFW INDUSTRIES, INC. ]

HS8N60

N沟道功率MOSFET

描述

这种MOSFET产生与这种技术先进的VDMOS技术

使功率MOSFET，具有更好的特性，如快速切换时间，低导通

性，低栅极电荷和特别优异的雪崩特性。这股力量

的MOSFET通常使用在高效率的DC -DC转换器块和开关电源。这是典型的

应用是电视和显示器。

原理图符号

特点

•高耐用性

• R

DS （ ON）

（最大1.3 Ω ） @V

=10V

•栅极电荷（ Typ.38nC ）

•改进dv / dt能力

• 100 ％雪崩测试

TO-220F

TO-220AB

包

TO-220AB

600

7.5

5.1

±30

230

14.7

4.5

147

1.18

TO-220F

4.1

0.43

300

TO-220AB

0.85

62.5

TO-220F

2.35

62.5

05081.R11 2/11

第1页

www.protekdevices.com

lizhenhui MB ： + 86-13537087568电邮： dgjifu@qq.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案