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型号: 2SA1179
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 58 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
SOT-23
2SA1179
晶体管
(
PNP
)
塑料封装晶体管
SOT-23
特点
。高的击穿电压
标记:M
1.基地
2.辐射源
3.收集
最大额定值* T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
参数
价值
-55
-50
-5
-150
200
-55-125
单位
V
V
V
mA
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃ ,除非
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
另有规定)
-55
-50
-5
-0.1
-0.1
200
400
-0.5
-1.0
180
4
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
条件
IC = -10u A,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
= -10 ü A,I
C
=0
V
CB
=-35V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-6V,I
C
=-10mA
V
CB
=-6V,I
E
=0,f=1MHz