江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03A塑封装晶体管
2SC4115E
晶体管
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
单位：mm
描述
NPN外延平面硅晶体管
特点
低V
CE
（SAT） .V
CE
（SAT） = 0.2V （典型值）。 （我
C
/I
B
= 2A/0.1A)
应用
出色的电流增益特性
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： CFQ ， CFR ， CFS
C
顶部
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
后
E
B
CFQ
Bé
最大额定值牛逼
A
=25
℃
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温
储存温度
价值
40
20
6
3
150
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压*
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
TEST
条件
民
40
20
6
0.1
0.1
120
560
0.5
290
25
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 50μA ，我
C
=0
V
CB
=30V ,
V
CE
=2 V,
I
E
=0
I
C
= 0.1A
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 2A,
I
B
=0.1A
V
CE
= 2V ，我
C
=0.5 A
f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
R
180-390
f
T
C
敖包
Q
120-270
分类h及
FE
秩
范围
S
270-560
JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
