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2SD2150 参数 Datasheet PDF下载

2SD2150图片预览
型号: 2SD2150
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内容描述: 晶体管NPN ) [TRANSISTOR NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 24 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
SOT- 89塑封装晶体管
2SD2150
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
晶体管NPN
特点
功耗
: 0.5
W¯¯环境温度Tamb = 25
P
CM
集电极电流
I
CM
: 3
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 40
V
工作和存储结温范围
T
J
T
英镑
: -55至+150
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
Tamb=25
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
TEST
除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
50
A,I
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
I
E
=
50
A,I
C
=0
V
CB
=
30
V,I
E
=0
V
EB
=
5
V,I
C
=0
V
CE
=
2
V,I
C
=
0.1
A
I
C
=
2
A,I
B
=100mA
V
CE
=
2
V,I
C
= 0.5A , F =
100
兆赫
V
CB
=
10
V,I
E
=0,f=
1
兆赫
40
20
6
0.1
0.1
180
560
0.5
290
25
A
A
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
Q
120-270
CFQ
R
180-390
CFR
S
270-560
CFS