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3DD13001-TO-92 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 3DD13001-TO-92
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR( NPN )]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 325 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
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江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
3DD13001
晶体管( NPN
TO—92
特点
功耗
P
CM
: 1.25
W(Tamb=25℃)
集电极电流
I
CM
: 0.2
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 600
V
工作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
直流电流增益
h
FE
2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
1 2 3
除非
TEST
否则
特定网络版)
典型值
最大
单位
V
V
 V
100
200
100
μA
μA
μA
条件
IC = 100μA
,I
E
=0
I
C
= 1
妈,我
B
=0
600
400
7
I
E
= 100
(一)I
C
=0
V
CB
= 600 V,I
E
=0
V
CE
= 400 V,I
B
=0
V
EB
= 7 V ,
V
CE
= 20
I
C
=0
V,I
C
= 20米一
10
5
70
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.25毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 10m的
I
C
= 50 mA时,我
B
=一千万
V
CE
= 20 V,I = 20mA下
C
0.5
1.2
V
V
跃迁频率
f
T
8
兆赫
f =
1MHz
下降时间
贮存时间
t
f
I
C
=50mA,
I
B1
=-I
B2
=5mA,
V
CC
=45V
0.3
1.5
μs
μs
t
S
分类h及
FE
(1)
范围
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-45
45-50
50-55
55-60
60-65
65-70