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    3DD13005-TO-220 参数 Datasheet PDF下载

    3DD13005-TO-220图片预览
    型号： 3DD13005-TO-220
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR（ NPN ）]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 284 K
    品牌： JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
     浏览型号3DD13005-TO-220的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3DD13005-TO-220的Datasheet PDF文件第3页  
    江苏长电科技股份有限公司
    TO- 220塑封装晶体管
    3DD13005
    晶体管（ NPN
    ）
    TO—220
    特点
    功耗
    P
    CM
    :
    1.5 W（环境温度Tamb = 25℃）
    集电极电流
    I
    厘米：
    4A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : 700 V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    ，T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    下降时间
    贮存时间
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    f
    t
    t
    1.BASE
    2.COLLECTOR
    3.EMITTER
    123
    除非
    TEST
    否则
    特定网络版）
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    1000
    100
    1000
    µA
    µA
    µA
    条件
    民
    700
    400
    9
    IC = 1000 μA ，我
    E
    =0
    IC = 10
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1000 μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 700 V I
    E
    =0
    ，
    V
    CE
    = 400 V I
    B
    =0
    ，
    V
    EB
    =
    9
    V I
    C
    =0
    ，
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    =千毫安
    I
    C
    = 2000米A，I
    B
    ± 500毫安
    I
    C
    = 2000米A，I
    B
    = 500毫安
    V
    CE
    = 10 V ， IC = 500毫安
    10
    40
    0.6
    1.6
    V
    V
    兆赫
    0.9
    4
    µs
    µs
    T
    F = 1MHz的
    I
    B1
    =-I
    B2
    = 0.4A ，我
    C
    =2A
    5
    f
    s
    V
    CC
    =120V
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    10-15
    15-20
    20-25
    25-30
    30-35
    35-40

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