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3DD13002B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 3DD13002B
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 35 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
3DD13002 / 3DD13002B
特征
功耗
P
厘米:
集电极电流
I
厘米:
900
晶体管( NPN )
TO-92
1.发射器
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
2.收集
3. BASE
3DD13002:
1 A
3DD13002B : 0.8 A
集电极 - 基极电压
600 V
V
( BR ) CBO :
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
1 2 3
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
t
f
t
s
除非另有规定编)
TEST
条件
600
400
6
100
100
9
6
0.5
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
µs
µs
40
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
Ic=100
µ
A,I
E
=0
IC = 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 600V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
I
C
=的200mA,我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA,我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V , IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ,我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(1)
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40