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3DK2222A-TO-92 参数 Datasheet PDF下载

3DK2222A-TO-92图片预览
型号: 3DK2222A-TO-92
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR(NPN )]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 111 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
 浏览型号3DK2222A-TO-92的Datasheet PDF文件第2页  
江苏长电科技股份有限公司
TO-92
3DK2222A
特征
功耗
P
CM
:
0.625
塑料封装晶体管
TO-92
晶体管( NPN )
1.发射器
2.基
W(Tamb=25℃)
3.收集
最大额定值* T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
参数
价值
75
40
6
600
625
150
-55-150
1 2 3
单位
V
V
V
mA
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
贮存时间
跃迁频率
V
CE(sat)(1)
V
CE(sat)(2)
V
BE ( SAT )
t
英镑
除非
TEST
否则
特定网络版)
75
40
6
10
10
10
100
40
42
0.6
0.3
1.2
225
300
V
V
V
ns
兆赫
300
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
条件
IC = 10uA的,我
E
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 60 V,I
E
=0
V
CE
= 60 V , V
EB (O FF )
=3V
V
EB
= 3 V ,
V
CE
=10 V,
V
CE
=10 V,
V
CE
=10 V,
I
C
=0
I
C
= 150毫安
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安,我
B1
=I
B2
=15mA
V
CE
= 20 V,I
C
= 20mA时,
f =
100MHz
f
T
分类h及
FE(1)
范围
L
100-200
H
200-300