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型号: 8050S
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR( NPN )]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 34 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
8050S
晶体管( NPN
TO—92
特点
功耗
P
CM
: 0.625 W(环境温度Tamb = 25℃)
集电极电流
I
CM
: 0.5
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 40
V
工作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
直流电流增益
h
FE
2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
1.EMITTER
2.收集
3.BASE
1 2 3
除非
TEST
否则
40
25
5
特定网络版)
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
0.1
0.1
条件
IC = 100
μA
, I
E
=0
IC = 1 mA时,
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
= 100
μ
A,
V
CB
= 40 V ,
V
CE
= 20 V ,
V
EB
= 3 V
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= 1 V,I
C
= 50米一
V
CE
= 1 V,I
C
= 5亿
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
V
CE
= 6 V , IC = 20mA下
85
50
300
0.6
1.2
V
V
跃迁频率
f
T
f =
30MHz
150
兆赫
分类h及
FE
(1)
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300