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    8550S 参数 Datasheet PDF下载

    8550S图片预览
    型号： 8550S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR（ PNP ）]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 350 K
    品牌： JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
     浏览型号8550S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号8550S的Datasheet PDF文件第3页  
    江苏长电科技股份有限公司
    TO- 92塑封装晶体管
    8550S
    晶体管（ PNP
    ）
    TO—92
    特征
    功耗
    P
    CM
    ： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
    集电极电流
    I
    CM
    : -0.5
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : -40
    V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    ，T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    （
    1
    ）
    直流电流增益
    h
    FE
    （
    2
    ）
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    1.EMITTER
    2.收集
    3.BASE
    1 2 3
    除非
    TEST
    否则
    民
    特定网络版）
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    条件
    IC = -100
    μＡ
    , I
    E
    =0
    IC = -0.1毫安，
    I
    E
    = -100
    μ
    A，
    V
    CB
    = -40 V ,
    V
    CE
    = -20 V ,
    V
    EB
    = - 3
    V，
    I
    B
    =0
    I
    C
    =0
    I
    E
    =0
    I
    B
    =0
    I
    C
    =0
    -40
    -25
    -5
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    V
    CE
    = -1 V，I
    C
    = -50m一
    V
    CE
    = -1 V，I
    C
    = -500m一
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50毫安
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50毫安
    V
    CE
    =- 6 V,
    I = -20mA
    C
    85
    50
    300
    -0.6
    -1.2
    V
    V
    跃迁频率
    f
    T
    f =
    30MHz
    150
    兆赫
    分类h及
    FE
    (1)
    秩
    范围
    B
    85-160
    C
    120-200
    D
    160-300

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