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    A42 参数 Datasheet PDF下载

    A42图片预览
    型号： A42
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR（ NPN ）]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 257 K
    品牌： JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
     浏览型号A42的Datasheet PDF文件第2页浏览型号A42的Datasheet PDF文件第3页  
    江苏长电科技股份有限公司
    TO- 92塑封装晶体管
    A42
    晶体管（ NPN
    ）
    TO—92
    特点
    功耗
    P
    CM
    : 0.625
    W（Tamb=25℃）
    集电极电流
    I
    CM
    : 0.5
    A
    集电极 - 基极电压
    V
    （ BR ） CBO
    : 300
    V
    工作和存储结温范围
    T
    J
    ，T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    （
    1
    ）
    直流电流增益
    h
    FE
    （
    2
    ）
    H
    FE
    （
    3
    ）
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    1.EMITTER
    2.BASE
    3.COLLECTOR
    1 2 3
    除非
    TEST
    否则
    民
    特定网络版）
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    0.25
    0.1
    条件
    IC = 100
    μ
    A，I
    E
    =0
    IC 。
    I
    E
    =
    1毫安，我
    B
    =0
    100
    μ
    A，I
    C
    =0
    I
    E
    =0
    V I
    C
    =0
    ，
    300
    300
    5
    V
    CB
    = 200 V
    V
    EB
    =
    5
    μ
    A
    μ
    A
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 10V ， IC = 10毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 30毫安
    I
    C
    = 20 mA时，我
    B
    = 2毫安
    I
    C
    = 20米A，
    V
    CE
    =20 V,
    f =
    30MHz
    I
    B
    = 2毫安
    I = 10毫安
    C
    60
    80
    75
    0.2
    0.9
    50
    V
    V
    兆赫
    250
    f
    T
    分类h及
    FE(2)
    秩
    范围
    A
    80-100
    B
    1
    100-150
    B
    2
    150-200
    C
    200-250

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