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B772-SOT-89 参数 Datasheet PDF下载

B772-SOT-89图片预览
型号: B772-SOT-89
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 31 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
SOT- 89塑封装晶体管
B772
特点
功耗
2.
COLLETOR
P
厘米:
500
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
3.
辐射源
1
2
3
晶体管( PNP )
SOT-89
1.
BASE
集电极电流
-3
A
I
厘米:
集电极 - 基极电压
-40
V
V
( BR ) CBO :
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
分类h及
FE(1)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
CE
= -5V,
跃迁频率
C
=-0.1A
除非另有规定编)
TEST
条件
-40
-30
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
IC = -100μA ,我
E
=0
I
C
= -10毫安,我
B
=0
I
E
= -100 IA ,我
C
=0
V
CB
= -40 V,I
E
=0
V
CE
= -30 V,I
B
=0
V
EB
= -6V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
-1
-10
-1
60
32
-0.5
-1.5
400
µA
µA
µA
V
V
f
T
f =
10MHz
50
兆赫
分类h及
FE(1)
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400