BAV199DW 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAV199DW
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内容描述：	多芯片二极管 [Multi-Chip DIODES]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 88 K
品牌：	JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]

江苏长电科技股份有限公司

SOT- 363塑封装二极管

BAV199DW

特点

功耗

厘米：

0.2

W（环境温度Tamb = 25℃）

多芯片二极管

SOT-363

集电极电流

200

集电极 - 基极电压

工作和存储结温范围

英镑

： -55 ℃〜+ 150 ℃

标记： K52

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

反向击穿电压

反向电压漏电流

符号

（ BR ）R

除非

否则

特定网络版）

民

0.9

1.0

1.1

1.25

典型值

最大

单位

TEST

条件

= 100µA

=75V

=1mA

=10mA

=50mA

=150mA

=0V

f=1MHz

正向电压

结电容

=10mA

尊恢复时间

=0.1ХI

=100Ω

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