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D882-TO-251 参数 Datasheet PDF下载

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型号: D882-TO-251
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR(NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 1014 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
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江苏长电科技股份有限公司
TO- 251塑封装晶体管
D882
特点
1.BASE
晶体管( NPN )
TO—251
功耗
P
CM
:
1.25W(Tamb=25℃)
集电极电流
I
厘米:
3A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 40V
工作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
直流电流增益
h
FE
2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
2.COLLECTOR
3.EMITTER
    
1
2
3
除非
TEST
否则
特定网络版)
典型值
最大
单位
V
V
V
1
10
1
µA
µA
µA
条件
40
30
6
IC = 100
μ
A,I
E
=0
IC = 10 mA时,我
B
=0
I
E
= 100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= 40 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
= 6 V,I
C
=0
V
CE
= 2V, IC = 1A
V
CE
= 2 V,I
C
= 100米
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2 A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2 A
V
CE
= 5V , IC = 0.1A
F = 10MHz时
60
32
400
0.5
1.5
50
V
V
兆赫
分类h及
FE(1)
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400