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    MMBTA42E 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA42E图片预览
    型号： MMBTA42E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管 [TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 190 K
    品牌： JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
     浏览型号MMBTA42E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA42E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA42E的Datasheet PDF文件第4页  
    江苏长电科技股份有限公司
    WBFBP - 03A塑封装晶体管
    MMBTA42E
    晶体管
    C
    WBFBP-03A
    (1.6×1.6×0.5)
    单位：mm
    描述
    NPN外延硅晶体管
    特点
    功耗P
    CM
    ： 0.15 W（环境温度Tamb = 25
    ℃
    )
    应用
    高电压放大器
    对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
    DVD-ROM ，笔记本电脑等）
    标记： 1D
    C
    顶部
    B
    E
    C
    后
    E
    B
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    1D
    Bé
    最大额定值牛逼
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    T
    J
    T
    英镑
    R
    θJA
    R
    θJC
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    结温
    储存温度
    热阻，结到环境
    热阻，油膏到外壳
    参数
    价值
    310
    305
    5
    300
    150
    -55-150
    200
    83.3
    单位
    V
    V
    V
    mA
    ℃
    ℃
    ℃/W
    ℃/W
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    除非
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    否则
    TEST
    特定网络版）
    民
    310
    305
    5
    0.25
    0.25
    5
    0.1
    60
    100
    75
    0.2
    0.9
    50
    V
    V
    兆赫
    200
    最大
    单位
    V
    V
    V
    条件
    I
    C
    = 100
    µ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100
    µ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 200V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 200V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 300V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =30mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    = 2毫安
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 10毫安
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    f
    T
    f=
    30MHz

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