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    S9013M 参数 Datasheet PDF下载

    S9013M图片预览
    型号： S9013M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管 [TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 133 K
    品牌： JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
     浏览型号S9013M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S9013M的Datasheet PDF文件第3页  
    江苏长电科技股份有限公司
    WBFBP - 03B塑封装晶体管
    S9013M
    晶体管
    C
    WBFBP-03B
    (1.2×1.2×0.5)
    单位：mm
    描述
    NPN外延硅晶体管
    特点
    高集电极电流。 （我
    C
    =500mA)
    补充S9012M
    优秀ħ
    FE
    线性度。
    应用
    食收音机的功率150mW级输出放大器
    B PUSH - PULL操作。
    对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
    DVD-ROM ，笔记本电脑等）
    标记： J3
    C
    顶部
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    B
    C
    C
    后
    E
    E
    B
    J3
    Bé
    最大额定值
    T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    参数
    价值
    40
    25
    5
    500
    150
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    除非另有
    TEST
    条件
    特定网络版）
    民
    40
    25
    5
    0.1
    0.1
    0.1
    120
    40
    0.6
    1.2
    150
    8
    V
    V
    兆赫
    pF
    400
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100
    µ
    A
    ,
    I
    E
    =0
    I
    C
    =1mA
    ,
    I
    B
    =0
    I
    E
    =100
    µ
    A I
    C
    =0
    V
    CB
    = 40 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    =20V,I
    B
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =1V,I
    C
    =50mA
    V
    CE
    =1V,I
    C
    =500mA
    I
    C
    =500mA,I
    B
    = 50毫安
    I
    C
    =500mA,I
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    =6V,
    I
    C
    = 20mA下
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    f
    T
    C
    ob
    f=
    30MHz
    V
    CB
    =6V,I
    E
    =0,f=
    1
    兆赫

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