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TPT5610图片预览
型号: TPT5610
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 30 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
   
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92L塑封装晶体管
TPT5610
特点
功耗
P
厘米:
1
W(环境温度Tamb = 25℃)
TO-92L
晶体管( PNP )
1.
辐射源
2.
集热器
3.
BASE
集电极电流
-1
A
I
厘米:
集电极 - 基极电压
-25 V
V
( BR ) CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
123
除非另有规定编)
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC = -
10
μA ,我
E
=0
IC = -
1
妈,我
B
=0
I
E
=-
10
μA ,我
C
=0
V
CB
=-
20
V,I
E
=0
V
EB
=-
5
V,I
C
=0
V
CE
=-
2
V,I
C
=-
500
mA
I
C
=-
800
妈,我
B
=-
80
mA
V
CE
=-
2
V,I
C
=-
500
mA
V
CE
=-
2
V,I
C
=-
500
mA
V
CB
=-
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
-25
-20
-5
-1
-1
60
240
-0.5
-1
350
38
µA
µA
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE
范围
A
60-120
B
85-170
C
120-240