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2N5039 参数 Datasheet PDF下载

2N5039图片预览
型号: 2N5039
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 3 页 / 44 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2N5038/2N5039
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N5038
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N5039
2N5038
2N5039
I
C
= 12A ;我
B
=1.2A
1
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 20A ;我
B
=5A
I
C
= 20A ;我
B
=5A
I
C
= 12A ; V
CE
=5V
1.8
2N5039
2N5038
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5039
2N5038
I
CEV
集电极截止电流
2N5039
2N5038
I
EBO
发射极截止电流
2N5039
h
FE-1
直流电流增益
2N5038
h
FE-2
直流电流增益
2N5039
I
S / B
第二击穿集电极电流
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
V
CE
=28V,
V
CE
= 45V (T = 1.0S非重复性)
5
0.9
A
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 12A ; V
CE
=5V
20
100
50
V
EB
= 5V ;我
C
=0
15
250
V
CE
= 55V ;我
B
=0
V
CE
=140V; V
BE
=-1.5V
V
CE
= 100V ;吨
C
=150℃
V
CE
=110V; V
BE
=-1.5V
V
CE
= 85V ;吨
C
=150℃
50
10
50
10
5
mA
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
V
CE
= 70V ;我
B
=0
20
mA
V
2.5
3.3
V
V
V
75
条件
90
V
典型值
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
2N5038
V
BE
基射极电压
mA
开关时间
t
r
t
s
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
对于2N5038
I
C
= 12A ;我
B1
=- I
B2
= 1.2A ; VCC = 30V
对于2N5039
I
C
= 10A ;我
B1
=- I
B2
= 1A ; VCC = 30V
0.5
1.5
0.5
μs
μs
μs
JMnic